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参数资料
| 型号： | MRF6S19100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 407K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 16.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
1930
1960
1990
2.26 - j2.31
2.14 - j2.00
2.22 - j2.13
1.57 - j3.50
1.83 - j3.29
2.34 - j3.71
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 900 mA, P
out
= 22 W Avg.
Zo
= 5
Ω
Zload
Zsource
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
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PDF描述 |
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