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参数资料
| 型号： | MRF6S19100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 407K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 16.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
3A (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
B (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 250
μAdc)
VGS(th)
1
2
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDD
= 28 Vdc, I
D
= 900 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
2
2.8
4
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 2.2 Adc)
VDS(on)
0.1
0.21
0.3
Vdc
Dynamic Characteristics (1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
1.5
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 900 mA, P
out
= 22 W Avg., f = 1987 MHz, 2-carrier
N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carriers. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @ ±885 kHz Offset. IM3 measured in
1.2288 MHz Channel Bandwidth @ ±2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
15
16.1
18
dB
Drain Efficiency
ηD
26
28
?
%
Intermodulation Distortion
IM3
?
-37
-35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-51
-48
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-15
-9
dB
1. Part is internally matched both on input and output.
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PDF描述 |
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