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参数资料
| 型号： | MRF6S19200HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 404K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 56W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
Figure 1. MRF6S19200HR3(HSR3) Test Circuit Schematic
Z10 0.547″
x 1.203
″
Microstrip
Z11 0.119″
x 0.755
″
Microstrip
Z12 0.222″
x 0.365
″
Microstrip
Z13 0.225″
x 0.220
″
Microstrip
Z14 0.192″
x 0.084
″
Microstrip
Z15 0.843″
x 0.084
″
Microstrip
PCB Arlon CuClad 250GX-0300-55-22, 0.030″, εr
= 2.55
Z1 0.859″
x 0.084
″
Microstrip
Z2 0.470″
x 0.084
″
Microstrip
Z3 0.362″
x 0.244
″
Microstrip
Z4 0.145″
x 1.040
″
Microstrip
Z5 0.040″
x 0.257
″
Microstrip
Z6 0.418″
x 1.040
″
Microstrip
Z7 0.103″
x 1.203
″
Microstrip
Z8, Z9 0.198″
x 0.160
″
Microstrip
VBIAS
VSUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
DUT
Z1
Z2
Z3
C3
Z4
Z6
R1
C5
Z7 Z11 Z12 Z14Z10
Z13
Z15
C13
Z5
C4
C2
Z8
C7
C9
Z9
C14
+
C11
+
C6
C8
C10
C15
+
C12
+
VSUPPLY
C1
+
B1
R2
Table 5. MRF6S19200HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1
Short Ferrite Bead
2743019447
Fair Rite
C1
10 μF, 50 V Electrolytic Capacitor
EMVY500ADA100MF55G
Nippon Chemi-Con
C2, C9, C10
0.1 μF, 100 V Capacitors
CDR33BX104AKYS
Kemet
C3, C13
33 pF Chip Capacitors
ATC100B330JT500XT
ATC
C4, C5, C6
10 pF Chip Capacitors
ATC100B100CT500XT
ATC
C7, C8
10 μF, 50 V Capacitors
GRMSSDRG1H106KA88B
Murata
C11, C12
22 μF, 35 V Tantalum Capacitors
T491X226K035AT
Kemet
C14, C15
22 μF, 50 V Electrolytic Capacitors
EMVY500ADA220MF55G
Nippon Chemi-Con
R1
1000 Ω, 1/4 W Chip Resistor
CRCW12061001FKEA
Vishay
R2
10 Ω, 1/4 W Chip Resistor
CRCW120610R1FKEA
Vishay
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S20010GNR1 | MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW |
| MRF6S21050LSR5 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S |
| MRF6S21060NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4 |
| MRF6S21100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| MRF6S21100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S20010GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2GHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S20010GNR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6S20010 Series 1.6 to 2.2 GHz 28 V 10 W RF Power N-Ch Mosfet - TO-270 |
| MRF6S20010NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S20010NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21050LR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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