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参数资料
| 型号： | MRF6S19200HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 404K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 56W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2040
1880
16
IRL
Gps
15
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 56 Watts Avg.
1900 20201980
2000
1940
1920
13
21
20
19
18
17
14
?2.5
31
30
29
28
?0.5
?1
?1.5
?2
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
?20
0
?5
?10
?15
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
1960
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL
Gps
14
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 87 Watts Avg.
12
20
19
18
17
16
15
13
?4
38
37
36
35
?2
?2.5
?3
?3.5
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
?25
?5
?10
?15
?20
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 200100
14
20
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
18
17
16
G
ps
, POWER GAIN (dB)
19
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
?20
?30
?40
100
?60
?50
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
200
IDQ
= 2400 mA
2000 mA
IDQ
= 800 mA
2000 mA
2400 mA
VDD= 28 Vdc, Pout
= 56 W (Avg.)
IDQ
= 1600 mA, Single?Carrier W?CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
2040
1880 19801900 20201920
1940
1960
2000
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
15
1600 mA
1200 mA
800 mA
?10
1200 mA
1600 mA
VDD= 28 Vdc, Pout
= 87 W (Avg.)
IDQ
= 1600 mA, Single?Carrier W?CDMA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S20010GNR1 | MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW |
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| MRF6S21060NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4 |
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| MRF6S21100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S21050LR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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