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参数资料
| 型号： | MRF6S21100HSR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 411K |
| 代理商： | MRF6S21100HSR3 |
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
W-CDMA TEST SIGNAL
220
109
100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
MTTF
FACT
OR
(HOURS
x
AMPS
)2
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
108
107
106
120
140
160
180
200
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
68
PROBABILITY
(%)
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
70
80
30
+20
40
20
10
50
60
0
+30
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
20
515
10
0
5
10
15
20
25
(dB)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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