参数资料
型号: MRF6S21100HSR3
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件页数: 8/12页
文件大小: 411K
代理商: MRF6S21100HSR3
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
2200
15
16.2
2080
44
28
IRL
Gps
ACPRL
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
40
10
20
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
30
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
16
27
15.8
36
15.6
38
15.4
40
15.2
42
2100
2120
2140
2160
2180
VDD = 28 Vdc
Pout = 23 W (Avg.)
IDQ = 950 mA
2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing
η
D
2200
14.4
15.6
2080
30
44
IRL
Gps
ACPRU
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
40
10
20
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
30
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
15.4
42
15.2
40
15
24
14.8
26
14.6
28
2100
2120
2140
2160
2180
VDD = 28 Vdc
Pout = 55 W (Avg.)
IDQ = 950 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
500
13.5
17.5
1
IDQ = 1450 mA
1200 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
450 mA
700 mA
950 mA
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
100
10
100
55
20
1
IDQ = 450 mA
700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
950 mA
1450 mA
1200 mA
25
30
35
40
45
50
10
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
IM3U
IM3L
ACPRU
ACPRL
IM3U
IM3L
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