- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6S23100HSR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6S23100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 411K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 15.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
2300 2.06 - j4.6912.20 - j6.20
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 20 W Avg.
Zo
= 25
Ω
Zload
Zsource
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 2400 MHz
f = 2300 MHz
2310 2.04 - j4.6212.06 - j6.40
2320 2.02 - j4.5511.91 - j6.56
2380 1.93 - j4.1510.92 - j7.34
2330 2.01 - j4.4811.76 - j6.71
2340 1.99 - j4.4211.60 - j6.86
2350 1.97 - j4.3511.44 - j7.00
2360 1.96 - j4.2811.27 - j7.13
2370 1.94 - j4.2211.10 - j7.22
2390 1.91 - j4.0910.73 - j7.46
2400 1.90 - j4.0210.55 - j7.53
f = 2300 MHz
f = 2400 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S23140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
| MRF6S24140HS | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| MRF6S27015NR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
| MRF6S27050HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF6S27085HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S23100HXX | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23140H_V2 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。