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参数资料
| 型号： | MRF6S23100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 411K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 15.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
110 230 250210
108
90
107
106
105
190
MTTF FACTOR (HOURS x AMPS
2
)
170
150
130
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 20 W Avg., and
ηD
= 23.5%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK-T O-AVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 14. 2‐Carrier W‐CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
-IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
-ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
PROBABILITY (%)
(dB)
+20
+30
0
-10
-40
-50
-60
-70
-80
-20
-25 251510
20
5
0
-5
-10
-15
-2 0
-30
W-CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ ±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ ±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S23140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
| MRF6S24140HS | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| MRF6S27015NR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
| MRF6S27050HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF6S27085HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S23100HXX | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23140H_V2 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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