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参数资料
| 型号： | MRF6S23100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 411K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 15.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-24
-12
-15
-21
2380 2390
2400
2300
2310
IRL
Gps
ACPR
IM3
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 20 Watts Avg.
2320
2330
2340
2350
2360
2370
16
-43
25.4
24.8
24.2
23.6
-35
-37
-39
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
-41
-18
14.4
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-22
-12
-16
2380 2390
2400
2300
2310
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 40 Watts Avg.
2320
2330
2340
2350
2360
2370
15.2
-35
35.5
35
34.5
34
-27
-29
-31
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
15.1
15
14.9
14.8
14.7
14.6
14.5
-25
-14
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
14.2
ηD
Figure 5. Two-T one Power Gain versus
Output Power
10
12
18
0.1
IDQ
= 1500 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
300
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15
13
1000 mA
750 mA
500 mA
14
100
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2345 MHz
f2 = 2355
MHz, Two-Tone Measurements
10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
0
0.1 101
-2 0
-3 0
-4 0
300
-70
-5 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
100
-18
-20
14.4
14.3
35.5
-33
1250 mA
-1 0
-60
1
IDQ
= 500 mA
1000 mA
750 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2345 MHz, f2 = 2355
MHz
Two-Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1500 mA
1250 mA
17
3.84 MHz Channel Bandwidth
VDD= 28 Vdc, Pout
= 20 W (Avg.), I
DQ
= 1000 mA
2-Carrier W-CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
VDD= 28 Vdc, Pout
= 40 W (Avg.), I
DQ
= 1000 mA
2-Carrier W-CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S23100HXX | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23140H_V2 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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