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参数资料
型号： MRF6V10250HSR5
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 5/10页
文件大小： 630K
描述： MOSFET RF N-CH NI780S
产品变化通告： RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装： 50
晶体管类型： LDMOS
频率： 1.09GHz
增益： 21dB
电压 - 测试： 50V
额定电流： 2mA
电流 - 测试： 250mA
功率 - 输出： 250W
电压 - 额定： 100V
封装/外壳： NI-780S
供应商设备封装： NI-780S
包装： 带卷 (TR)
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V10250HSR3
Figure 2. MRF6V10250HSR3 Test
Circuit Component Layout
MRF6V10250H Rev. 3
CUT OUT AREA
C7
R2
C6
L1
C1
C2
C3
C4
C5
R1
C15
C12
L2
C8
C9
C10
C11
C13 C14
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料
PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6V12250HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12250HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12250HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12250HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12500H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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