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参数资料
| 型号： | MRF6V10250HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 630K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.09GHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2mA |
| 电流 - 测试： | 250mA |
| 功率 - 输出： | 250W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V10250HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
245
6
0
400
0
25_C
85_C
3
1
200
100
Pin, INPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 9. Pulsed Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
300
18
24
50
30
70
100
60
50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 10. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D
DRAIN EFFICIENCY
(
%
)
ηD
22
400
25_C
TC
=--30_C
85_C
Gps
40
250
107
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 11. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=50Vdc,Pout
= 250 W Peak, Pulse Width = 100
μsec,
Duty Cycle = 10%, and
ηD
= 60%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
106
105
103
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
TC
=--30_C
20
18
55_C
VDD
=50Vdc
IDQ
= 250 mA
f = 1090 MHz
Pulse Width = 100
μsec
Duty Cycle = 10%
VDD
=50Vdc,IDQ
= 250 mA, f = 1090 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 10%
104
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V12500HR5 | FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H |
| MRF6V14300HSR5 | MOSFET RF N-CH 50V NI780S |
| MRF6V2010GNR5 | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| MRF6V2150NBR5 | MOSFET RF N-CH 50V TO272-4 |
| MRF6V2300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V12250HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12250HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12250HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12500H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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