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参数资料
| 型号： | MRF6V14300HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 637K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.4GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 330W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V14300HR3 MRF6V14300HSR3
Figure 2. MRF6V14300HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF6V14300
Rev. 1
C9
C8
R1
C4
C1
C3
C5
C6
C7
C2
CUT OUT AREA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V14300HR5 | MOSFET RF N-CH 50V NI780 |
| B3FS-1000P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| MRF6V14300HR3 | MOSFET RF N-CH 50V NI780 |
| FDD4141_F085 | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
| B3FS-1002P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V14300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1400MHZ 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V14300MSR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF6V2010GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W TO270-2GN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V2010GNR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W TO270-2GN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V2010N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
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