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参数资料
| 型号： | MRF6V2010NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/21页 |
| 文件大小： | 1668K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 220MHz |
| 增益： | 23.9dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 30mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BC |
| 供应商设备封装： | TO-272-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V2010NBR1DKR |
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
50 OHM TYPICAL CHARACTERISTICS
Table 10. Common Source S--Parameters
(VDD
=50V,IDQ
=30mA,TA
=25°C, 50 Ohm System)
(continued)
f
MHz
S11
S21
S12
S22
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
800
0.858
--139.7
1.697
40.2
0.00839
--31.1
0.932
--107.6
820
0.861
--140.7
1.636
38.9
0.00818
--32.1
0.934
--109.0
840
0.864
--141.6
1.578
37.6
0.00798
--33.1
0.935
--110.4
860
0.867
--142.6
1.523
36.4
0.00781
--33.8
0.936
-- 111 . 7
880
0.870
--143.5
1.471
35.1
0.00763
--34.8
0.938
--112.9
900
0.873
--144.5
1.421
33.9
0.00745
--35.9
0.939
--114.1
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