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参数资料
| 型号： | MRF6V2010NBR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 1668K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 220MHz |
| 增益： | 23.9dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 30mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BC |
| 供应商设备封装： | TO-272-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V2010NBR1DKR |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FMAC-0956-H310 | FMAC INPUT FILTER 3-PHASE 250A |
| FMAD-0955-H210 | FMAD INPUT FILTER 180A |
| 150103J1000DC | CAP FILM 10000PF 1KVDC AXIAL |
| MC18FA301G-TF | CAP MICA 300PF 100V 2% 1812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6V2010NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V2010NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6V2150N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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