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参数资料
| 型号： | MRF6V2300NBR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 1185K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V TO-272-4 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 220MHz |
| 增益： | 25.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF6V2300NBR5DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 10. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=20V
25 V
400
14
28
0 20050
100 150
18
16
24
22
26
IDQ
= 900 mA
f = 220 MHz
35 V
40 V
50 V
20
250 300 350
45 V
35
35
60
10
25_C
TC
=--30_C
85_C
20 3025
15
50
45
40
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 11. Power Output versus Power Input
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
=50Vdc
IDQ
= 900 mA
f = 220 MHz
55
22
29
5
10
80
10
28
26
24
70
60
50
40
30
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
27
25
23
100 600
25_C
TC
=--30_C
85_C
85_C
-- 3 2
-- 2 8
-- 2 9
-- 3 0
-- 3 1
-- 3 3
IMD3 (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
240
160
IMD3
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. VHF Broadcast Broadband Performance
230
220
210
200
190
180
170
25
24
15
65
55
45
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
22
20
18
16
15
23
21
19
17
60
50
35
25
ηD
VDD
=50V,Pout
= 300 W (Peak)
IDQ
= 1100 mA, Tone--Spacing = 100 kHz
Gps
VDD
=50Vdc
IDQ
= 900 mA
f = 220 MHz
25_C
-- 3 0_C
30 V
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| MRF6V2300NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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