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参数资料
| 型号： | MRF6V2300NBR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 1185K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V TO-272-4 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 220MHz |
| 增益： | 25.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF6V2300NBR5DKR |
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
=25?
f=27MHz
Zsource
f = 450 MHz
Zload
f=27MHz
Zload
f = 450 MHz
Zsource
VDD
=50Vdc,IDQ
= 900 mA, Pout
= 300 W CW
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
27
10.5 + j19.0
3.50 + j0.19
450
0.50 + j1.37
1.25 + j0.99
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 18. Series Equivalent Source and Load Impedance ? 27, 450 MHz
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6V2300NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2300N Series 10 - 600 MHz 300 W 50 V N-Channel Single-Ended RF Power MOSFET |
| MRF6V2300NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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