型号: | MRF6VP3091NBR1 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN |
文件页数: | 1/18页 |
文件大小: | 749K |
代理商: | MRF6VP3091NBR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF6VP3091NR5 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
MRF6VP3450HR5 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6VP3450HR6 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6VP3450HSR6 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6VP41KHSR6 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF6VP3091NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP3091NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP3091NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP3450HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP3450HR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP3450H Series 470 - 860 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet |