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参数资料
型号： MRF7S18125BHSR5
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 10/14页
文件大小： 471K
描述： MOSFET RF N-CH CW 125W NI780
标准包装： 50
晶体管类型： LDMOS
频率： 1.93GHz
增益： 16.5dB
电压 - 测试： 28V
额定电流： 10µA
电流 - 测试： 1.1A
功率 - 输出： 125W
电压 - 额定： 65V
封装/外壳： NI-780S
供应商设备封装： NI-780S
包装： 带卷 (TR)
MRF7S18125BHR3 MRF7S18125BHSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF7S18125BHR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF7S18125BH
Rev. 0
CUT OUT AREA
R1
VGS
R2
C1
C8
R3
C7
C12
C11
C4 C5
C10
C14
C16
C6
C9
C2 C3
VDD
C15
C13
C17
C18
相关PDF资料
PDF描述
MRF7S18170HSR5 MOSFET RF N-CH NI-880S
MRF7S19080HSR5 MOSFET RF N-CH NI-780S
MRF7S19100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4
MRF7S19120NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4
MRF7S19170HSR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF7S18170H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF7S18170HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18170HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18170HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18170HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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