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参数资料
| 型号： | MRF7S18125BHSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 16.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S18125BHR3 MRF7S18125BHSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
60
Pin, INPUT POWER (dBm)
53
(145 W)
51
50
34 3735
36 38 39
Actual
Ideal
52
Figure 7. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBc)
P6dB = 52.59
dBm (181.6 W)
54
P1dB = 51.61
dBm
55
56
57
40 41 42 43
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100
mA, Pulsed CW
12
μsec(on), 1% Duty Cycle, f = 1960
MHz
300
18
15
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1100 mA
f = 1960
MHz
TC
= ?30
C
25C
?30C
10
30
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 8. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Gps
17.5
17
100
40
25C
85C
58
59
P3dB = 52.16
dBm (164.4 W)
16.5
16
15.5
15
14.5
14
13.5
13
25
35
45
50
55
60
65
85C
Figure 9. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout= 78
W Avg.
18 W Avg.
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
0
6
3
1
4
2
VDD
= 28
Vdc
IDQ
= 1100
mA
EDGE Modulation
50 W Avg.
?50
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
?55
?60
?65
Pout
= 78 W Avg.
?75
SR @ 600 kHz
50 W Avg.
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz AND 600 kHz (dBc)
?70
?80
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1100
mA
EDGE Modulation
78 W Avg.
18 W Avg.
TC
= ?30
C
25C
85C
?75
?35
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?50
?55
?60
?70
20
Figure 11. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
40 20060 80 100
120 140 160 180
?65
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1100 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
?45
?40
33
5
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990
50 W Avg.
18 W Avg.
TC
= ?30
C
25C
85C
?85
?45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?65
?70
?75
?80
20
Figure 12. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
40 20060 80 100
120 140 160 180
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100
mA
f = 1960
MHz, EDGE Modulation
?60
?55
?50
ηD
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
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