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参数资料
| 型号： | MRF7S18125BHSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 16.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18125BHR3 MRF7S18125BHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
500
12
24
20
16
0
10
1
D
820
60
40
30
0
10
?30C
85C
Figure 13. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
TC
= 25
C
EVM
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100 mA
f = 1960 MHz, EDGE Modulation
14
19
TC
= ?30
C
25C
85C
18
17
16
15
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Power Gain versus Frequency
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc
Pout
= 125 W CW
IDQ
= 1100 mA
4
100
50
?30C
25C
85C
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 15. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W CW, and
ηD
= 55%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
108
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990
η
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18170HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| MRF7S19120NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| MRF7S19170HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18170H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
| MRF7S18170HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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