- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF7S18125BHSR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF7S18125BHSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 16.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18125BHR3 MRF7S18125BHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
15 52
Gps
18 58VDD
= 28 Vdc
17.5
57
17
56
55
53
IRL
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 125 Watts CW
?13
?7
?9
?11
?19
16
54
?15
?17
1930
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss, EVM and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 57
Watts Avg.
Gps
17.5
0
60
IRL
17
50
40
16
30
20
15
10
G
ps
, POWER GAIN (dB)
EVM
EVM, ERROR VECTOR
MAGNITUDE (% rms)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 57 W Avg.
IDQ
= 1100 mA, EDGE Modulation
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
10 300100
13
18
IDQ
= 1650 mA
VDD
= 28 Vdc
f = 1960 MHz
17
15
14
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
825 mA
1375 mA
550 mA
Pout
= 125 W CW, I
DQ
= 1100 mA
100
?60
0
0.1 101
?20
?30
?40
?50
TWO?TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Two-Tone Spacing
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IM7?U
IM3?L
IM5?U
IM5?L
IM7?L
IM3?U
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W (PEP)
IDQ
= 1100 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
16.5
15.5
1940 1950 1960 1970 1980 1990
16.5
15.5
14.5
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
?15
?9
?11
?13
?21
?17
?19
1100 mA
?10
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990
ηD
ηD
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY (%)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18170HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| MRF7S19120NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| MRF7S19170HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18170H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
| MRF7S18170HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18170HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。