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参数资料
| 型号： | MRF7S19080HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 1165K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
2080
1880 1920
1960
2000
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2040
1880
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 24 Watts Avg.
1920
11
19
18
17
16
15
14
13
12
-- 1 . 4
38
36
34
32
30
-- 0 . 8
-- 1
-- 1 . 2
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
1960
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 49 Watts Avg.
11
19
18
17
16
15
14
13
12
-- 3 . 2
50
48
46
44
42
-- 2 . 6
-- 2 . 8
-- 3
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 200100
14
20
1
IDQ
= 1125 mA
937.5 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
375 mA
18
17
16
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 0
IDQ
= 375 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
100
-- 7 0
-- 5 0
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
PARC
19
750 mA
200
2000
VDD=28Vdc,Pout
=24W(Avg.)
IDQ
= 750 mA, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
2040
VDD=28Vdc,Pout
=49W(Avg.)
IDQ
= 750 mA, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
562.5 mA
-- 6 0
937.5 mA
750 mA
562.5 mA
1125 mA
15
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