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参数资料
| 型号： | MRF7S19080HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/19页 |
| 文件大小： | 1165K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
-- 6 0 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-- 3 0
24
-- 3 5
20
-- 4 0
12
03 91
2645 78
8
-- 5 5
Figure 18. 3--Carrier TD--SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
ALT/ACPR (dBc)
-- 4 5
-- 5 0
4
Adj--U
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
3--Carrier TD--SCDMA
VDD
=28V,IDQ
= 750 mA
f = 2017.5 MHz
Alt--U
Alt--L
16
Adj--L
-- 6 0 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-- 3 0
24
-- 4 0
16
12
0.5
8
-- 5 5
Figure 19. 6--Carrier TD--SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
-- 4 5
-- 5 0
1.5
4
Adj--L
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
6--Carrier TD--SCDMA
VDD
=28V,IDQ
= 750 mA
f = 2017.5 MHz
Alt--U
Alt--L
ALT/ACPR (dBc)
Adj--U
2.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.5
-- 4 5
20
TD--SCDMA TEST SIGNAL
-- 8 0
--130
-- 3 0
(dBm)
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 9 0
--100
-- 11 0
--120
Center 2.0175 GHz Span 15 MHz1.5 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. 3--Carrier TD--SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
-- 8 0
--130
-- 3 0
(dBm)
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 9 0
--100
-- 11 0
--120
Center 2.0175 GHz Span 25 MHz2.5 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. 6--Carrier TD--SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
-- A LT 1 i n
1.28 MHz BW
--1.6 MHz Offset
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
-- A LT 1 i n
1.28 MHz BW
--1.6 MHz Offset
-- A LT 2 i n
1.28 MHz BW
--3.2 MHz Offset
-- A LT 2 i n
1.28 MHz BW
--3.2 MHz Offset
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3391-25.000 | OSC 25.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
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| MIN02-002DC300J-F | CAP MICA 30PF 300V 5% SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF7S19080HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF7S19080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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