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参数资料
| 型号： | MRF7S19080HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/19页 |
| 文件大小： | 1165K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3391-25.000 | OSC 25.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF7S21080HSR3 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
| MIN02-002DC300J-F | CAP MICA 30PF 300V 5% SMD |
| MRF5S19060NR1 | MOSFET N-CH 12W 28V TO-270-4 |
| MIN02-002DC270J-F | CAP MICA 27PF 300V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S19080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19080HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF7S19080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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