参数资料
型号: MRF7S21210HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/17页
文件大小: 923K
描述: MOSFET RF N-CH 63W NI-780S
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.93GHz
增益: 20dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.4A
功率 - 输出: 63W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780S
供应商设备封装: NI-780S
包装: 带卷 (TR)
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
Zo
=5?
Zload
Zsource
f = 2220 MHz
f = 2060 MHz
f = 2060 MHz
f = 2220 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
=63WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2060
4.34 -- j1.26
1.52 -- j1.46
2080
4.34 -- j1.20
1.47 -- j1.35
2100
4.34 -- j1.14
1.42 -- j1.23
2120
4.33 -- j1.09
1.37 -- j1.11
2140
4.34 -- j1.05
1.32 -- j0.99
2160
4.33 -- j0.96
1.27 -- j0.87
2180
4.33 -- j0.92
1.23 -- j0.75
2200
4.33 -- j0.92
1.19 -- j0.64
2220
4.32 -- j0.87
1.15 -- j0.52
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 13. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料
PDF描述
MRF7S27130HSR5 MOSFET RF N-CH 23W NI-780S
MRF7S35015HSR5 MOSFET RF N-CH 15W NI-400S-240
MRF7S35120HSR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF7S38010HSR5 MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S
MRF7S38040HSR5 MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF7S27130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S27130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S27130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S27130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S27130HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray