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参数资料
| 型号： | MRF8HP21080HSR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 528K |
| 代理商： | MRF8HP21080HSR3 |
MRF8HP21080HR3 MRF8HP21080HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
PA
RC
(d
B)
2060
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout = 16 Watts Avg.
--2.4
--1.6
--1.8
--2
--2.2
12
16
15.6
15.2
--36
48
46
44
42
--26
--28
--30
--32
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 14.8
14.4
14
13.6
13.2
12.8
12.4
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200 2220
40
--34
--2.6
AC
PR
(d
Bc)
PARC
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--70
--20
--30
--40
--60
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--50
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
10
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
5
15
20
30
0
60
50
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--3 dB = 22 W
25
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--45
--15
--20
--25
--35
--30
--40
15
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
14.8
14.6
14.4
14.2
14
13.8
Gps
VDD =28 Vdc,IDQA = 150 mA, VGSB =1.1 Vdc
f = 2140 MHz, Single--Carrier W--CDMA
VDD =28 Vdc,Pout =16 W (Avg.)
IDQA = 150 mA
VGSB =1.1 Vdc
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF
--2 dB = 17 W
--1 dB = 12 W
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF
VDD =28 Vdc,Pout = 10 W (PEP)
IDQA = 150 mA, VGSB =1.1 Vdc
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency
of 2140 MHz
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PDF描述 |
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