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参数资料
| 型号： | MRF8P23080HR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780-4, CASE 465M-01, 4 PIN |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | MRF8P23080HR3 |
MRF8P23080HR3 MRF8P23080HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
30
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQA = 280 mA,
Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
50
47
38
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
44
51.5
54.5
37.5
24
22.5
53
41
21
Ideal
Actual
27
33
36
2350 MHz
2400 MHz
2300 MHz
48.5
45.5
42.5
39.5
34.5
31.5
28.5
25.5
2350 MHz
2300 MHz
2400 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2300
59
47.7
69
48.4
2350
58
47.6
68
48.3
2400
54
47.3
68
48.3
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
2300
P1dB
8.40 -- j14.3
3.60 -- j5.30
2350
P1dB
11.4 -- j13.4
3.70 -- j5.20
2400
P1dB
17.7 -- j9.30
3.10 -- j5.10
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRF8P26080HSR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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参数描述 |
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| MRF8P23080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23160WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHz 160W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P23160WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHz 160W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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