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参数资料
| 型号： | MRF8P29300HR5 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 1010K |
| 代理商： | MRF8P29300HR5 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P29300HR6 MRF8P29300HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
24
0
400
012
4
200
100
Pin, INPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 10. Pulsed Output Power versus
Input Power
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(W
ATTS)
PU
LSED
816
300
20
TC =--30_C
VDD =30 Vdc,IDQ = 100 mA, f = 2900 MHz
Pulse Width = 300 μsec, Duty Cycle = 10%
85_C
25_C
Figure 11. Pulsed Power Gain, Drain Efficiency
and Input Return Loss versus Frequency
15
f, FREQUENCY (MHz)
12
14
2700
47
53
52
51
50
49
48
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
VDD =30 Vdc
IDQ = 100 mA
Pulse Width = 300 μsec
Duty Cycle = 10%
ηD
IRL
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
--20
--8
--10
--12
--16
--14
--18
Gps
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
2750
2800
2850
2900
13
12.5
13.5
14.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRF8P29300HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 300W 50V NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P29300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 300W 50V NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P29300HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 300W 50V NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P8300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-800 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P8300HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-800 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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