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参数资料
| 型号： | MRF8S18260HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 74W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1760
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 74 Watts Avg.
-- 2 0
-- 0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
16.8
18.8
18.6
18.4
-- 3 8
35
34
33
32
-- 3 3
-- 3 4
-- 3 5
-- 3 6
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.2
18
17.8
17.6
17.4
17.2
17
1780 1800 1820 1840 1860 1880 1900 1920
31
-- 3 7
-- 2 5
PARC
PARC (dB)
-- 2
-- 1 . 2
-- 1 . 4
-- 1 . 6
-- 1 . 8
-- 2 . 2
ACPR (dBc)
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM5--L
IM7--U
VDD
=30Vdc,Pout
= 100 W (PEP), IDQ
= 1600 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1840 MHz
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
50
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
30
70 90 130110
0
60
50
40
--3dB=115W
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 1 d B = 6 0 W
ηD
ACPR
ACPR (dBc)
-- 5 0
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 4 0
-- 3 5
-- 4 5
18.6
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Gps
IM3--U
IM3--L
-- 2 d B = 8 5 W
VDD=30Vdc,Pout
=74W(Avg.),IDQ
= 1600 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on
CCDF
IM5--U
18.4
18.2
18
17.8
17.6
17.4
IM7--L
VDD
=30Vdc,IDQ
= 1600 mA, f = 1840 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
PARC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMD2000 | SOLDER/DESOLDER REWORK KIT SMD |
| SMD16 | REMOVAL ALLOY 16' SMD |
| MRF8S19260HR6 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230-8 |
| MTM8106ERA04 | SWITCH TOGGLE SPDT 6AMP T/H |
| MTM8106DVRA04 | SWITCH TOGGLE SPDT 6AMP T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S18260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18260HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF8S19140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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