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参数资料
| 型号： | MRF8S18260HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 74W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
13
19
0
60
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18
17
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
10 100 300
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
16
15
14
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 7. Broadband Frequency Response
0
24
1400
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=30Vdc
4--15
Pin
=0dBm
IDQ
= 1600 mA
16
12
8
1500
GAIN (dB)
20
Gain
1600 1700 1800 1900 2000 2100 2200
IRL
-- 2 0
10
5
0
-- 5
-- 1 0
IRL (dB)
1880 MHz
1805 MHz
1840 MHz
ACPR
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
VDD=30Vdc,IDQ
= 1600 mA, Single--Carrier
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 8. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMD2000 | SOLDER/DESOLDER REWORK KIT SMD |
| SMD16 | REMOVAL ALLOY 16' SMD |
| MRF8S19260HR6 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230-8 |
| MTM8106ERA04 | SWITCH TOGGLE SPDT 6AMP T/H |
| MTM8106DVRA04 | SWITCH TOGGLE SPDT 6AMP T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S18260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18260HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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