- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录94 > MRF8S19140HSR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8S19140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 402K |
| 描述： | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 19.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1880
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 34 Watts Avg.
-- 2 8
0
-- 7
-- 1 4
-- 2 1
18
20
19.8
19.6
-- 3 9
36
34
32
30
-- 3 4
-- 3 5
-- 3 6
-- 3 7
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
19.4
19.2
19
18.8
18.6
18.4
18.2
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
28
-- 3 8
-- 3 5
PARC
PARC (dB)
-- 2
0
-- 0 . 5
-- 1
-- 1 . 5
-- 2 . 5
ACPR (dBc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 55 W (PEP), IDQ
= 1100 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
40
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
20
60 80 120100
21
57
51
45
39
33
27
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 1 d B = 3 3 W
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-- 5 0
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 4 0
-- 3 5
-- 4 5
20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
19
18
17
16
15
14
Gps
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on
CCDF
VDD=28Vdc,Pout
=34W(Avg.)
IDQ
= 1100 mA
IM3--U
IM3--L
-- 2 d B = 4 5 W
-- 3 d B = 6 1 W
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1100 mA, f = 1960 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S19260HSR6 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| MRF8S21120HSR3 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS |
| MRF8S21140HSR3 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| MRF8S21200HSR6 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S19260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。