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参数资料
| 型号： | MRF8S19140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 402K |
| 描述： | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 19.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1100 mA,
Pout
=34WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1880
4.27 -- j3.42
1.62 -- j3.54
1900
4.33 -- j3.32
1.61 -- j3.45
1920
4.40 -- j3.22
1.61 -- j3.36
1940
4.47 -- j3.12
1.60 -- j3.27
1960
4.54 -- j3.02
1.60 -- j3.18
1980
4.61 -- j2.93
1.60 -- j3.09
2000
4.69 -- j2.84
1.59 -- j3.00
2020
4.73 -- j2.80
1.59 -- j2.96
2040
4.63 -- j2.80
1.59 -- j2.96
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S19260HSR6 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| MRF8S21120HSR3 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS |
| MRF8S21140HSR3 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| MRF8S21200HSR6 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF8S19260H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S19260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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