- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录94 > MRF8S19140HSR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8S19140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 402K |
| 描述： | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 19.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3
Figure 1. MRF8S19140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF8S19140
Rev. 4
CUT OUT AREA
R2
C14
C1
C15* C16*
C2
C7
R1
C8
C4
C3
C9
C5
C13
C6
C17*
C18*
C10 C11
C12
*Stacked
Table 5. MRF8S19140HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C2, C3, C4, C5, C6
10 pF Chip Capacitors
ATC100B110JT500XT
ATC
C7, C8, C9
0.8 pF Chip Capacitors
ATC800B0R8BT500XT
ATC
C10, C11
10
μF, 50 V Chip Capacitors
GRM55DR61H106KA88L
Murata
C12
330
μF, 63 V Electrolytic Capacitor
MCRH63V337M13X21--RH
Multicomp
C13
6.8
μF, 50 V Chip Capacitor
C4532X7R1H685KT
TDK
C14
47
μF, 16 V Tantalum Capacitor
T491D476K016AT
Kemet
C15, C17
.01
μF, 100 V Chip Capacitors
C1825C103K1GACTU
Kemet
C16, C18
.56
μF, 50 V Chip Capacitors
C1825C564J5RACTU
Kemet
R1
5.1
?, 1/8 W Chip Resistor
CRCW08055R10JNEA
Vishay
R2
4.75
?, 1/4 W Chip Resistor
CRCW12064R75FNEA
Vishay
PCB
0.030″,
εr
=2.55
AD255A
Arlon
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S19260HSR6 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| MRF8S21120HSR3 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS |
| MRF8S21140HSR3 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| MRF8S21200HSR6 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S19260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。