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参数资料
| 型号： | MRF8S19140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 402K |
| 描述： | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 19.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION AND SOFTWARE
Refer to the following documents, tools and software to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
Software
?
Electromigration MTTF Calculator
?
RF High Power Model
?
.s2p File
For Software, do a Part Number search at http://www.freescale.com, and select the ?Part Number? link. Go to the Software &
Tools tab on the part?s Product Summary page to download the respective tool.
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
May 2010
?
Initial Release of Data Sheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S19260HSR6 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| MRF8S21120HSR3 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS |
| MRF8S21140HSR3 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| MRF8S21200HSR6 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S19260HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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