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参数资料
| 型号： | MRF8S21140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 970mA |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
2060
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 34
Watts Avg.
0
-12
-24
16
20
19.5
19
-40
40
36
32
24
-20
PARC
-24
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.5
18
17.5
17
16.5
2080 2100 2120 2140 2160 2180 2200 2220
28
-28
-30
PARC (dB)
0
-1
-2
-3
-5
ACPR (dBc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two-T one Spacing
TWO-T ONE SPACING (MHz)
10
-2 0
-3 0
-5 0
1
100
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
-4 0
IM3-U
IM3-L
IM5-U
IM5-L
IM7-U
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 55 W (PEP), I
DQ
= 970 mA
Two-Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
Figure 4. Output Peak-to-Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-1
-3
-5
40
0
-2
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
20
60 80 120100
21
57
45
39
33
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-50
-20
-30
-25
-35
19
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
18
16
15
13
Gps
-2 dB = 44 W
-3 dB = 60 W
-60
-1 0
IM7-L
15.5
15
-32
-36
-18
-4
14
-4
-40
51
-1 dB = 32
W
-6
-45
27
VDD= 28 Vdc, Pout
= 34 W (Avg.), I
DQ
= 970 mA
Single-Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on CCDF
VDD
= 28
Vdc, IDQ
= 970
mA, f = 2140
MHz
Single-Carrier W-CDMA
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