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参数资料
| 型号： | MRF8S21140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 970mA |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 970 mA, 2110-2170 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
126
—
W
IMD Symmetry @ 55
W PEP, Pout
where IMD Third Order
30 dBc (Delta IMD Third Order Intermodulation
Intermodulation
between Upper and Lower Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
10
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
53
—
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
= 34 W Avg.
GF
—
0.5
—
dB
Gain Variation over Temperature
(-30
°C to +85°C)
ΔG
—
0.016
—
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30
°C to +85°C)
ΔP1dB
—
0.018
(1)
—
dBm/°C
Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF8S21172HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF8S21172HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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