- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录94 > MRF8S21140HSR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8S21140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 970mA |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
24 4636
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 970 mA, Pulsed CW,
10 μsec(on), 10% Duty Cycle
51
47
43
38 4240 44
Actual
Ideal
53
49
41
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE:
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
45
55
59
61
63
343230
2826
57
2110 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2140 MHz
2170 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
191
52.8
232
53.7
2140
182
52.6
219
53.4
2170
179
52.5
216
53.3
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Ω
Zload
Ω
2110
P1dB
6.74 - j4.91
0.95 - j2.96
2140
P1dB
8.26 - j6.27
0.98 - j3.02
2170
P1dB
8.34 - j0.34
1.07 - j2.82
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S21200HSR6 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| MRF8S26120HSR3 | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S |
| MRF8S7170NR3 | FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2 |
| MRF8S9100HSR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S21140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21172HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21172HR3_12 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S21172HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21172HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。