参数资料
型号: MRF8S21140HSR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 12/14页
文件大小: 214K
描述: FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.14GHz
增益: 17.9dB
电压 - 测试: 28V
电流 - 测试: 970mA
功率 - 输出: 34W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780S
供应商设备封装: NI-780S
包装: 带卷 (TR)
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 970 mA, P
out
= 34 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
2060
5.09 - j3.45
1.78 - j4.17
2080
5.35 - j3.20
1.75 - j4.06
2100
5.64 - j3.01
1.72 - j3.98
2120
6.01 - j2.86
1.72 - j3.92
2140
6.42 - j2.72
1.73 - j3.83
2160
6.82 - j2.62
1.75 - j3.71
2180
7.25 - j2.62
1.75 - j3.62
2200
7.76 - j2.73
1.76 - j3.54
2220
8.28 - j2.87
1.77 - j3.43
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料
PDF描述
MRF8S21200HSR6 MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
MRF8S23120HSR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF8S26120HSR3 FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S
MRF8S7170NR3 FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
MRF8S9100HSR5 MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF8S21140HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3_12 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S21172HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray