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参数资料
| 型号： | MRF8S23120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 444K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
2290
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 28 Watts Avg.
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
15.2
17.2
17
16.8
-- 3 9
34
33
32
31
-- 3 4
-- 3 5
-- 3 6
-- 3 7
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
16.6
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
2305 2320 2335 2350 2365 2380 2395 2410
30
-- 3 8
-- 3 5
PARC
PARC (dB)
-- 1 . 8
-- 1
-- 1 . 2
-- 1 . 4
-- 1 . 6
-- 2
ACPR (dBc)
VDD=28Vdc,Pout
=28W(Avg.),IDQ
= 800 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on
CCDF
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
25
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
15
35 45 6555
0
60
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
--1dB=26.5W
--2dB=36.5W
--3dB=48.5W
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, f = 2350 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-- 5 0
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 4 0
-- 3 5
-- 4 5
17
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.6
16.2
15.8
15.4
15
14.6
Gps
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=28Vdc,Pout
= 84 W (PEP), IDQ
= 800 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2350 MHz
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