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参数资料
| 型号： | MRF8S23120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 444K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA,
Pout
=28WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2290
8.41 -- j0.97
1.86 -- j4.43
2305
8.58 -- j0.55
1.83 -- j4.28
2320
8.78 -- j0.14
1.80 -- j4.14
2335
8.99 + j0.29
1.77 -- j4.01
2350
9.21 + j0.72
1.74 -- j3.88
2365
9.45 + j1.17
1.72 -- j3.77
2380
9.71 + j1.62
1.69 -- j3.66
2395
9.99 + j2.10
1.66 -- j3.54
2410
10.28 + j2.60
1.65 -- j3.43
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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