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参数资料
| 型号： | MRF8S23120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 444K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
32 4033 37 38 3935
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
53
51
49
36
54
52
46
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
50
55
57
34
31
30
56
48
47
29
Ideal
Actual
2350 MHz
2300 MHz
2400 MHz
2300 MHz
2400 MHz
2350 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2300
152
51.8
185
52.7
2350
150
51.8
181
52.6
2400
147
51.7
177
52.5
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
2300
P1dB
4.03 -- j5.45
2.24 + j0.08
2350
P1dB
4.63 -- j6.15
2.21 + j0.35
2400
P1dB
5.57 -- j5.96
2.36 + j0.47
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S26120HSR3 | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S |
| MRF8S7170NR3 | FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2 |
| MRF8S9100HSR5 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| MRF8S9120NR3 | FET RF N-CH 900MHZ QM780-2 |
| MRF8S9170NR3 | FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S26060HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S26060HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S26060HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S26060HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S26120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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