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参数资料
| 型号： | MRF8S9260HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 392K |
| 描述： | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 960MHz |
| 增益： | 18.6dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.7A |
| 功率 - 输出： | 75W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25?C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1700 mA, 920--960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
260
—
W
IMD Symmetry @ 130 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
10
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
50
—
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
=75WAvg.
GF
—
0.2
—
dB
Gain Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
?G
—
0.024
—
dB/?C
Output Power Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
(1)
?P1dB
—
0.0075
—
dB/?C
1. Exceeds recommended operating conditions. See
CW operation data in Maximum Ratings table.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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