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参数资料
| 型号： | MRF9120LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 314K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 16.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 120W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-860 |
| 供应商设备封装： | NI-860 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF9120LR3
7
Freescale Semiconductor
RF Product Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
f, FREQUENCY (MHz)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 3. Class AB Broadband Circuit Performance
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Power Gain versus Output Power Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Figure 7. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
-10
-18
-14
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
-12
-16
900
10
18
860
-38
50
12 -34IRL
17 45Gps
13 -32IMD
VDD
= 26 Vdc
15 35
Pout
= 120 W (PEP)
14 -30IDQ
= 1000 mA
Tone Spacing = 100 kHz
16 40η
11 -36
895
890
885
880
875
870
865
100
15
18
1500 mA
VDD
= 26 Vdc
f1 = 880.0 MHz
f2 = 880.1 MHz
17.5
17
16.5
16
15.5
10
1
1200 mA
800 mA
1000 mA
100
-60
-10
1
800 mA
VDD
= 26 Vdc
f1 = 880.0 MHz
f2 = 880.1 MHz
1000 mA
1200 mA
1500 mA
10
-20
-30
-40
-50
100
-70
-10
1
3rd Order
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 1000 mA
f1 = 880.0 MHz
f2 = 880.1 MHz
10
-20
-30
-40
-50
-60
5th Order
7th Order
100
6
18
1
0
60
16 50Gps
η
VDD
= 26 Vdc
810IDQ
= 1000 mA
f = 880 MHz
14 40
12 30
10 20
10
1000
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PDF描述 |
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参数描述 |
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