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参数资料
| 型号： | MRF9120LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 314K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 16.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 120W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-860 |
| 供应商设备封装： | NI-860 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
8
Freescale Semiconductor
RF Product Device Data
MRF9120LR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Power Gain, Efficiency and IMD versus
Output Power
Figure 9. Power Gain, Efficiency and ACPR
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dB)
100
6
18
0.1
-80
40
Gps
η
750 kHz
14 0VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 1000 mA
12 -20f = 880 MHz
IS-95, Pilot, Sync, Paging
10 -40Traffic Codes 8 through 13
16 20
8 -60
10
1
1.98 MHz
100
6
18
1
-60
60
14
40
12
20
10
0
-20
8
-40
10
Gps
η
IMD
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 1000 mA
f1 = 880.0 MHz
f2 = 880.1 MHz
16
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF9120LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 120W 880MHZ NI860L FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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