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参数资料
| 型号： | MRFE6S8046NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/17页 |
| 文件大小： | 439K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 894MHz |
| 增益： | 19.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 300mA |
| 功率 - 输出： | 35.5W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | * |
MRFE6S8046NR1 MRFE6S8046GNR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout= 25.5
W Avg.
17.8 W Avg.
4.5 W Avg.
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
895
0
6
865
3
1
880 890885
875
870
4
2
5
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 285
mA
EDGE Modulation
f = 894 MHz
?75
?40
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?50
?55
?60
?70
10
Figure 9. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
40 50
?65
?45
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 285
mA
EDGE Modulation
?80
?45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?50
?55
?60
?65
?70
20
Figure 10. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
30 5040
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 285
mA
EDGE Modulation
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
20
0
10
1
35
65
59
41
5
880 MHz
17
Figure 11. EVM and Drain Efficiency
versus Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
EVM
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 285
mA
EDGE Modulation
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
20 30
?75
18
16
14
12
10
8
6
4
2
53
47
23
29
11
10
880 MHz
864 MHz
f = 880 MHz
894 MHz
864 MHz
f = 894 MHz
864 MHz
1350
?5
20
550
?16
4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 12. Broadband Frequency Response
IRL
0
15
?4
10
?8
5
?12
0
1050
950
850
750
650
IRL (dB)
GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc
Pin
= 0 dBm
IDQ
= 300
mA
1150 1250
Gain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9045NR1 | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
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| MRFE6S9125NR1 | MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9045GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9045N | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRFE6S9045NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9045NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9045 Series 880 MHz 10 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET |
| MRFE6S9046GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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