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参数资料
| 型号： | MRFE6S9045NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 569K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 22.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRFE6S9045NR1DKR |
MRFE6S9045NR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
N-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 14. Single-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
IS?95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±750 kHz Offset. ALT1 Measured in 30 kHz
Bandwidth @ ±1.98
M
Hz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
PROBABILITY (%)
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.......
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................................
...................................
+ACPR in 30 kHz
................................................
.....................
Integrated BW
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..........................................................................
.....
...
.....
.
+ALT1 in 30 kHz
..............
............................
Integrated BW
...............
?80
..
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..........................................................
?90
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........
......................................
..
..................................................................................
..
..
.....
...
.
..
..?ALT1 in 30 kHz
Integrated BW
......................................
.
...............
...................
.............. ................................
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.....................
.........
....
..
............................
..................
.
....
..
.
.
.........
.
.........
?60
?110
?10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?100
1.2288 MHz
Channel BW
2.9
0.7 2.21.5
0
?1.5
?0.7
?3.6
?2.9
?2.2
3.6
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Single-Carrier N-CDMA Spectrum
?ACPR in 30 kHz
Integrated BW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9046NR1 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
| MRFE6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 14W TO270-2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9045NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9045 Series 880 MHz 10 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET |
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| MRFE6S9046NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9060GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO 270-2GN FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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