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参数资料
| 型号： | MRFE6S9045NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 569K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 22.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRFE6S9045NR1DKR |
MRFE6S9045NR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 920-960 MHz, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc,
IDQ
= 350 mA, Pout
= 16 W Avg., f = 920-960 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
46
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.5
?
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-62
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-78
?
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 920-960 MHz, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA,
Pout
= 45 W, f = 920-960 MHz
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
68
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-12
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point
(f = 940 MHz)
P1dB
?
52
?
W
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28
Vdc, IDQ
= 350
mA, 865-900
MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 48 W PEP Pout
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
ΔIMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
10
?
MHz
Gain Flatness in 35 MHz Bandwidth @ Pout
= 10 W Avg.
GF
?
0.72
?
dB
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.011
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.006
?
dBm/°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9046NR1 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
| MRFE6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 14W TO270-2 |
| MRFE6S9125NR1 | MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4 |
| MRFE6S9130HSR5 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| MRFE6S9135HSR5 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9045NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9045 Series 880 MHz 10 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET |
| MRFE6S9046GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9046NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9060GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO 270-2GN FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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