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参数资料
| 型号： | MRFE6S9045NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 569K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 22.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRFE6S9045NR1DKR |
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9045NR1
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1907: Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Plastic Packages
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
?
AN3263: Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Oct. 2007
?
Initial Release of Data Sheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9046NR1 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
| MRFE6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 14W TO270-2 |
| MRFE6S9125NR1 | MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4 |
| MRFE6S9130HSR5 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| MRFE6S9135HSR5 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9045NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9045 Series 880 MHz 10 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET |
| MRFE6S9046GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9046NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9060GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO 270-2GN FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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