参数资料
型号: MRFE6S9130HSR3
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件页数: 10/11页
文件大小: 413K
代理商: MRFE6S9130HSR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
850
865
880
1.50 - j0.09
1.55 + j0.31
1.52 + j0.11
0.89 - j1.18
0.87 - j1.03
0.85 - j0.89
VDD = 28 Vdc, IDQ = 950 mA, Pout = 27 W Avg.
Zo = 2 Ω
Zload
f = 850 MHz
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 910 MHz
Zsource
895
910
1.68 + j0.71
1.60 + j0.51
0.83 - j0.75
0.84 - j0.64
f = 850 MHz
f = 910 MHz
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MRFE6S9135HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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