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参数资料
型号： MRFE6S9130HSR3
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件页数： 6/11页
文件大小： 413K
代理商： MRFE6S9130HSR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
Figure 2. MRFE6S9130HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
AREA
C7
B2
C6
B1
L1
C4
C8
C5
C9
C3
C2
C1
C16 C17 C18
C19
C15
C14
L2
C10
C11
C12
C13
900 MHz
Rev 02
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PDF描述
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MRFE6S9135HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9135HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9135HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9135HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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